Микросхема IPP110N20N3G Infineon
- Партномер (MPN)
- IPP110N20N3G
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- Микросхема
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPP110N20N3G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPP110N20N3G — N-канальный MOSFET серии OptiMOS 3 производства Infineon на 200 В с током стока 88 А в выводном корпусе TO-220. Сопротивление открытого канала — до 11 мОм, мощность рассеяния 300 Вт, рабочая температура от −55 до +175 °C.
Отличается низким произведением заряда затвора на RDS(on). Выводы покрыты без свинца.
Характеристики
- Тип
- MOSFET N-канал
- Корпус
- TO-220
- Ток стока, А
- 88
- Температура, °C
- −55…+175
- Мощность рассеяния, Вт
- 300
- Напряжение сток-исток, В
- 200
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 11
- Вес
- 1,890 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема IPP110N20N3G Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.