MOSFET-транзистор IRF1010NSTRLPBF International Rectifier
- Партномер (MPN)
- IRF1010NSTRLPBF
- Производитель
- International Rectifier
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF1010NSTRLPBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
International Rectifier IRF1010NSTRLPBF — N-канальный HEXFET MOSFET в корпусе D2PAK (TO-263) для поверхностного монтажа. Напряжение сток-исток 55 В, сопротивление открытого канала 11 мОм.
Рассеиваемая мощность — 180 Вт, заряд затвора 120 нКл, входная ёмкость 3,21 нФ, температура кристалла от −55 до +175 °C.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET (HEXFET)
- Корпус
- TO-263 (D2PAK)
- Заряд затвора, нКл
- 120
- Входная ёмкость, нФ
- 3,21
- Рабочая температура, °C
- −55…+175
- Напряжение сток-исток, В
- 55
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 180
- Сопротивление канала, мОм
- 11
- Вес
- 1,890 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF1010NSTRLPBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.