MOSFET-транзистор IRF1018ESPbF International Rectifier
- Партномер (MPN)
- IRF1018ESPbF
- Производитель
- International Rectifier
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF1018ESPbF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF1018ESPbF — N-канальный HEXFET MOSFET производства International Rectifier на 60 В и 79 А в корпусе TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа. Рассеиваемая мощность — 110 Вт, заряд затвора 69 нКл, рабочая температура от −55 до +175 °C.
Импульсный ток стока — до 315 А, пороговое напряжение затвора около 4 В.
Характеристики
- Тип
- MOSFET N-канал
- Корпус
- TO-263
- Ток стока, А
- 79
- Температура, °C
- −55…+175
- Заряд затвора, нКл
- 69
- Мощность рассеяния, Вт
- 110
- Напряжение сток-исток, В
- 60
- Вес
- 1,280 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF1018ESPbF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.