MOSFET-транзистор IRF1324PbF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF1324PbF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF1324PbF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon IRF1324PbF — N-канальный HEXFET MOSFET на 24 В в корпусе TO-220AB. Сопротивление открытого канала — до 1,5 мОм (типовое 1,2 мОм), ток стока при 25 °C — 195 А.
Рассеиваемая мощность 300 Вт, заряд затвора 240 нКл, входная ёмкость 7590 пФ. Предельное напряжение затвор-исток — 20 В, температура от −55 до +175 °C.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET (HEXFET)
- Корпус
- TO-220AB
- Заряд затвора, нКл
- 240
- Входная ёмкость, пФ
- 7590
- Ток стока при 25 °C, А
- 195
- Рабочая температура, °C
- −55…+175
- Напряжение сток-исток, В
- 24
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 300
- Сопротивление канала, мОм
- 1,5
- Вес
- 0,929 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF1324PbF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.