MOSFET-транзистор IRF3415PbF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF3415PbF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF3415PbF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon IRF3415PbF — N-канальный HEXFET MOSFET на 150 В в корпусе TO-220AB. Сопротивление открытого канала — 42 мОм при 10 В на затворе.
Импульсный ток стока 150 А, тепловое сопротивление кристалл–корпус 0,75 °C/Вт. Заряд затвора 200 нКл, входная ёмкость 2400 пФ.
Распиновка: 1 — затвор, 2 — сток (и пластина корпуса), 3 — исток; шаг выводов 2,54 мм.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET (HEXFET)
- Корпус
- TO-220AB
- Заряд затвора, нКл
- 200
- Входная ёмкость, пФ
- 2400
- Импульсный ток стока, А
- 150
- Напряжение сток-исток, В
- 150
- Сопротивление канала, мОм
- 42
- Тепловое сопротивление кристалл–корпус, °C/Вт
- 0,75
- Вес
- 0,635 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF3415PbF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.