MOSFET-транзистор IRF5210 Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF5210
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF5210
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF5210 — P-канальный силовой MOSFET серии HEXFET компании Infineon в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Напряжение сток-исток −100 В, ток стока −40 А (импульсный 140 А), сопротивление открытого канала 60 мОм при −10 В.
Рассеиваемая мощность 200 Вт, пороговое напряжение затвора до −4 В, максимальное напряжение затвор-исток ±20 В, температура перехода до +175 °C; производитель указывает динамический допуск по dv/dt и лавинную стойкость.
Характеристики
- Корпус
- TO-220AB
- Тип канала
- P
- Ток стока, А
- −40
- Импульсный ток стока, А
- 140
- Напряжение сток-исток, В
- −100
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 200
- Сопротивление канала, мОм
- 60 (при −10 В)
- Температура перехода макс., °C
- 175
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±20
- Вес
- 0,448 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF5210 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.