MOSFET-транзистор IRF6674TRPbF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF6674TRPbF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- DirectFET MZ
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF6674TRPbF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF6674TRPbF — N-канальный HEXFET-транзистор Infineon в корпусе DirectFET MZ для поверхностного монтажа. Напряжение сток-исток ограничено 60 В, ток стока при 25 °C — 13,4 А.
Сопротивление открытого канала лежит в диапазоне 9–11 мОм при 10 В на затворе. Заряд затвора — 36 нКл, входная ёмкость — 1350 пФ, предельное напряжение затвор-исток — 20 В, рассеиваемая мощность — 3,6 Вт.
Характеристики
- Корпус
- DirectFET MZ
- Тип канала
- N
- Заряд затвора, нКл
- 36
- Входная ёмкость, пФ
- 1350
- Ток стока при 25 °C, А
- 13,4
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 3,6
- Напряжение сток-исток макс., В
- 60
- Сопротивление канала Rds(on), мОм
- 9–11 (при 10 В)
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Вес
- 1,280 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF6674TRPbF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.