IRF7341PBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7341PBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF7341PBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7341PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7341PBF — сдвоенный N-канальный MOSFET Infineon в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток 55 В, ток стока 4,7 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 50 мОм при напряжении на затворе 10 В.

Заряд затвора 24 нКл, входная ёмкость 740 пФ, рассеиваемая мощность 2 Вт, максимальное напряжение затвор-исток 20 В. Температура перехода от -55 до +150 °C.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Конфигурация
два N-канальных MOSFET
Заряд затвора, нКл
24
Входная ёмкость, пФ
740
Ток стока при 25 °C, А
4,7
Температура перехода, °C
-55…+150
Рассеиваемая мощность, Вт
2
Напряжение сток-исток макс., В
55
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Сопротивление канала при 10 В, мОм
50
Вес
0,270 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7341PBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.