MOSFET-транзистор IRF7420TRPBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF7420TRPBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF7420TRPBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF7420TRPBF — P-канальный HEXFET-транзистор Infineon в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток — минус 12 В, номинальный ток стока при 25 °C — 11,5 А.
Сопротивление открытого канала — от 14 до 26 мОм при напряжении на затворе 1,8–4,5 В. Предельное напряжение затвор-исток — 8 В, заряд затвора — 38 нКл, входная ёмкость — 3529 пФ, рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.
Характеристики
- Корпус
- SOIC-8
- Тип канала
- P
- Заряд затвора, нКл
- 38
- Входная ёмкость, пФ
- 3529
- Ток стока при 25 °C, А
- 11,5
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 2,5
- Напряжение затвора для Rds(on), В
- 1,8–4,5
- Напряжение сток-исток макс., В
- −12
- Сопротивление канала Rds(on), мОм
- 14–26
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 8
- Вес
- 0,794 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7420TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.
