IRF7420TRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7420TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF7420TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7420TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7420TRPBF — P-канальный HEXFET-транзистор Infineon в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток — минус 12 В, номинальный ток стока при 25 °C — 11,5 А.

Сопротивление открытого канала — от 14 до 26 мОм при напряжении на затворе 1,8–4,5 В. Предельное напряжение затвор-исток — 8 В, заряд затвора — 38 нКл, входная ёмкость — 3529 пФ, рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Тип канала
P
Заряд затвора, нКл
38
Входная ёмкость, пФ
3529
Ток стока при 25 °C, А
11,5
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Напряжение затвора для Rds(on), В
1,8–4,5
Напряжение сток-исток макс., В
−12
Сопротивление канала Rds(on), мОм
14–26
Напряжение затвор-исток макс., В
8
Вес
0,794 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7420TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.