IRF8714TRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF8714TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF8714TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF8714TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF8714TRPBF — N-канальный HEXFET-транзистор Infineon в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток — 30 В, номинальный ток стока при 25 °C — 14 А.

Сопротивление открытого канала — от 8,7 до 13 мОм при напряжении затвора 4,5–10 В. Заряд затвора — 12 нКл, входная ёмкость — 1020 пФ, предельное напряжение затвор-исток — 20 В, рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
12
Входная ёмкость, пФ
1020
Ток стока при 25 °C, А
14
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Напряжение затвора для Rds(on), В
4,5–10
Напряжение сток-исток макс., В
30
Сопротивление канала Rds(on), мОм
8,7–13
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Вес
0,224 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF8714TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.