IRF9317TRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF9317TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF9317TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF9317TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF9317TRPBF — P-канальный MOSFET Infineon в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток — минус 30 В, номинальный ток стока при 25 °C — 16 А.

Сопротивление открытого канала — 6,6 мОм при напряжении затвора 4,5–10 В. Заряд затвора — 92 нКл, входная ёмкость — 2820 пФ, предельное напряжение затвор-исток — 20 В, рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Тип канала
P
Заряд затвора, нКл
92
Входная ёмкость, пФ
2820
Ток стока при 25 °C, А
16
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Напряжение затвора для Rds(on), В
4,5–10
Напряжение сток-исток макс., В
−30
Сопротивление канала Rds(on), мОм
6,6
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Вес
0,324 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF9317TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.