IRF7465TRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7465TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF7465TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7465TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7465TRPBF — N-канальный HEXFET-транзистор Infineon в корпусе SOIC-8, рассчитанный на 150 В между стоком и истоком при токе стока 1,9 А (25 °C).

Сопротивление открытого канала — 280 мОм при затворном напряжении 10 В. Допустимое напряжение затвор-исток — 30 В, заряд затвора — 15 нКл, входная ёмкость — 330 пФ, рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
15
Входная ёмкость, пФ
330
Ток стока при 25 °C, А
1,9
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Напряжение сток-исток макс., В
150
Сопротивление канала Rds(on), мОм
280 (при 10 В)
Напряжение затвор-исток макс., В
30
Вес
0,232 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7465TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.