IRF7410TRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7410TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF7410TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7410TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7410TRPBF — P-канальный HEXFET-транзистор Infineon в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток -12 В, ток стока 16 А при 25 °C, сопротивление открытого канала — 7 мОм.

Затвор открывается уже при 1,8–4,5 В, максимальное напряжение затвор-исток — 8 В, поэтому ключ управляется от низковольтной логики. Заряд затвора — 91 нКл, мощность рассеяния — 2,5 Вт.

Характеристики

Тип
P-канальный MOSFET (HEXFET)
Корпус
SOIC-8
Заряд затвора, нКл
91
Ток стока при 25 °C, А
16
Мощность рассеяния, Вт
2.5
Сопротивление канала, мОм
7
Напряжение сток-исток макс., В
-12
Напряжение затвор-исток макс., В
8
Вес
0,611 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7410TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.