IRF7342PBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7342PBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF7342PBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7342PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7342PBF — сдвоенный P-канальный силовой MOSFET Infineon в корпусе SOIC-8: два независимых транзистора в одном корпусе. Напряжение сток-исток — 55 В, ток стока при 25 °C — 3,4 А, сопротивление открытого канала — 105 мОм при напряжении затвора 10 В.

Полный заряд затвора составляет 26 нКл, входная ёмкость — 690 пФ. Корпус рассеивает до 2 Вт, а затвор допускает напряжение до 20 В.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Конфигурация
сдвоенный, P-канальный
Заряд затвора, нКл
26
Ток стока при 25 °C, А
3,4
Входная ёмкость Ciss, пФ
690
Напряжение сток-исток, В
55
Рассеиваемая мощность, Вт
2
Сопротивление канала, мОм
105 (при Vgs 10 В)
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Вес
0,242 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7342PBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.