MOSFET-транзистор IRF7316PBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF7316PBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF7316PBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF7316PBF — сдвоенный P-канальный MOSFET семейства HEXFET от Infineon в корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа. Корпус SO-8 имеет специальную выводную рамку для улучшенного теплоотвода и размещения двух кристаллов; транзистор рассчитан на лавинный режим.
- Напряжение сток–исток: −30 В
- Постоянный ток стока: 4,9 А (импульсный — 30 А)
- Сопротивление канала: 0,058 Ом при Vgs = −10 В
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Температура перехода: −55…+150 °C
Характеристики
- Конфигурация
- два P-канала
- Число выводов
- 8
- Ток стока импульсный
- 30 А
- Температура перехода
- −55…+150 °C
- Ток стока непрерывный
- 4,9 А
- Рассеиваемая мощность
- 2 Вт
- Напряжение сток–исток
- −30 В
- Сопротивление открытого канала
- 0,058 Ом при −10 В
- Вес
- 0,311 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7316PBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.