MOSFET-транзистор IRF7105TR Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF7105TR
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF7105TR
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF7105TR от Infineon — сдвоенный силовой MOSFET семейства HEXFET в корпусе SO-8 (MS-012AA): в одном корпусе размещены N-канальный и P-канальный транзисторы с напряжением 25 В. У N-канального транзистора ток стока 3,5 А при сопротивлении канала 0,10 Ом, у P-канального сопротивление 0,25 Ом и ток 2,3 А.
Рассеиваемая мощность корпуса 2 Вт, диапазон температур перехода −55…+150 °C, тепловое сопротивление переход-среда не более 62,5 °C/Вт.
Характеристики
- Корпус
- SOIC-8
- Конфигурация
- N-канал + P-канал
- Ток стока N-канала, А
- 3,5
- Ток стока P-канала, А
- 2,3
- Рабочая температура
- −55…+150 °C
- Напряжение сток-исток, В
- 25 (N) / −25 (P)
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 2
- Сопротивление канала N, Ом
- 0,10
- Сопротивление канала P, Ом
- 0,25
- Вес
- 0,150 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7105TR Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.