MOSFET-транзистор IRF6216TRPBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF6216TRPBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF6216TRPBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF6216TRPBF от Infineon — P-канальный HEXFET-транзистор в корпусе SOIC-8 с максимальным напряжением сток-исток -150 В и током стока 2.2 А при 25 °C.
Сопротивление открытого канала 240 мОм при напряжении затвора 10 В, заряд затвора 49 нКл, ёмкость затвора 1280 пФ. Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, максимальное напряжение затвор-исток 20 В.
Характеристики
- Тип
- P-канальный MOSFET (HEXFET)
- Корпус
- SOIC-8
- Заряд затвора, нКл
- 49
- Ток стока при 25 °C, А
- 2.2
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 2.5
- Сопротивление канала, мОм
- 240
- Напряжение затвора для Rds(on), В
- 10
- Напряжение сток-исток макс., В
- -150
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Вес
- 0,187 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF6216TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.