MOSFET-транзистор IRF640NPBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRF640NPBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF640NPBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRF640NPBF — N-канальный силовой MOSFET семейства HEXFET от Infineon в корпусе TO-220AB. Напряжение сток-исток — 200 В, ток стока при 25 °C — 18 А, сопротивление открытого канала — 0,15 Ом при напряжении затвора 10 В. Заряд затвора 67 нКл, входная ёмкость 1160 пФ, мощность рассеяния 150 Вт, предельное напряжение между затвором и истоком — 20 В. Три вывода, монтаж в отверстия.
Характеристики
- Корпус
- TO-220AB
- Структура
- N-канал
- Заряд затвора, нКл
- 67
- Входная ёмкость, пФ
- 1160
- Ток стока при 25 °C, А
- 18
- Напряжение сток-исток, В
- 200
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 150
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Сопротивление канала (при 10 В), мОм
- 150
- Вес
- 0,315 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF640NPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.