IRF7319TRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7319TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF7319TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7319TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7319TRPBF — двойной MOSFET Infineon из N- и P-канального транзисторов в корпусе SOIC-8. Максимальное напряжение сток-исток — 30 В, номинальный ток стока при 25 °C — 6,5 А.

Сопротивление открытого канала указано в пределах 23–29 мОм, напряжение управления затвором — 4,5–10 В. Заряд затвора — 33 нКл, входная ёмкость — 650 пФ, предельное напряжение затвор-исток — 20 В, рассеиваемая мощность — 2 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Конфигурация
N+P-канальная пара
Заряд затвора, нКл
33
Входная ёмкость, пФ
650
Ток стока при 25 °C, А
6,5
Рассеиваемая мощность, Вт
2
Напряжение затвора для Rds(on), В
4,5–10
Напряжение сток-исток макс., В
30
Сопротивление канала Rds(on), мОм
23–29
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Вес
0,287 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7319TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.