IRF8313TRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF8313TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRF8313TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF8313TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF8313TRPBF — сдвоенный N-канальный полевой транзистор Infineon в корпусе SOIC-8 (MS-012AA). Рассчитан на 30 В между стоком и истоком и ток 9,7 А при 25 °C; сопротивление открытого канала не выше 15,5 мОм. Заряд затвора 6 нКл, входная ёмкость 760 пФ. Рекомендуемое управляющее напряжение 4,5–10 В, предел 20 В; мощность 2 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Конфигурация
Два N-канала
Заряд затвора
6 нКл
Ток стока (25 °C)
9,7 А
Ёмкость затвора
760 пФ
Сопротивление канала
до 15,5 мОм
Рассеиваемая мощность
2 Вт
Напряжение затвора (ном.)
4,5–10 В
Напряжение затвора макс.
20 В
Напряжение сток-исток макс., В
30 В
Вес
0,472 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF8313TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.