MOSFET-транзистор IRFB4110PBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRFB4110PBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRFB4110PBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRFB4110PBF — N-канальный силовой MOSFET серии HEXFET производства Infineon на 100 В в корпусе TO-220AB. Сопротивление открытого канала 4,5 мОм при затворе 10 В, рассеиваемая мощность 370 Вт, напряжение отпирания затвора 2–4 В.
Максимальное напряжение затвора 20 В, выводы три, монтаж в отверстия платы.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET, HEXFET
- Корпус
- TO-220AB
- Мощность рассеяния
- 370 Вт
- Пороговое напряжение
- 2–4 В
- Сопротивление канала
- 4,5 мОм
- Напряжение сток-исток, В
- 100
- Напряжение затвора макс., В
- ±20
- Вес
- 0,990 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRFB4110PBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.