IRFH5250TRPBF, корпус PQFN-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRFH5250TRPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRFH5250TRPBF
Производитель
Infineon
Корпус
PQFN-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRFH5250TRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRFH5250TRPBF — низковольтный N-канальный MOSFET Infineon из семейства HEXFET в корпусе PQFN-8. Максимальное напряжение сток-исток — 25 В, номинальный ток стока при 25 °C — 45 А. Сопротивление открытого канала лежит в пределах 1,15–1,75 мОм в зависимости от напряжения на затворе, которое может быть от 4,5 до 10 В.

Заряд затвора — 110 нКл, входная ёмкость — 7174 пФ, предельное напряжение затвор-исток — 20 В, рассеиваемая мощность — 3,6 Вт.

Характеристики

Тип
N-канальный MOSFET HEXFET
Корпус
PQFN-8
Заряд затвора, нКл
110
Входная ёмкость, пФ
7174
Ток стока при 25 °C, А
45
Рассеиваемая мощность, Вт
3,6
Напряжение сток-исток макс., В
25
Рабочее напряжение затвора, В
4,5–10
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Сопротивление открытого канала, мОм
1,15–1,75
Вес
0,598 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRFH5250TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.