MOSFET-транзистор IRFHM8363TRPBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRFHM8363TRPBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- PQFN-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRFHM8363TRPBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon IRFHM8363TRPBF — сдвоенный N-канальный HEXFET MOSFET на 30 В в корпусе PQFN 3,3×3,3 мм высотой менее 1,1 мм. Ток стока 11 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 14,9 мОм, заряд затвора 15 нКл.
Входная ёмкость 1165 пФ, мощность рассеивания 2,7 Вт, температура −55…+150 °C. Стандартная разводка выводов, исполнение без свинца, уровень MSL1.
Характеристики
- Корпус
- PQFN 3,3×3,3 мм
- Ток стока, А
- 11
- Конфигурация
- два N-канала
- Заряд затвора, нКл
- 15
- Входная ёмкость, пФ
- 1165
- Рабочая температура
- −55…+150 °C
- Напряжение сток-исток, В
- 30
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 2,7
- Сопротивление канала, мОм
- 14,9
- Вес
- 0,342 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRFHM8363TRPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.