MOSFET-транзистор IRFB4710PBF Infineon
- Партномер (MPN)
- IRFB4710PBF
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRFB4710PBF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRFB4710PBF — N-канальный силовой MOSFET Infineon типа HEXFET на 100 В в корпусе TO-220AB. Ток стока — 75 А непрерывный и до 300 А в импульсе, сопротивление открытого канала — 14 мОм при управлении затвором 10 В.
- тепловое сопротивление кристалл-корпус — 0,74 °C/Вт;
- входная ёмкость — 6160 пФ;
- максимальное напряжение затвор-исток — 20 В.
По сравнению с IRFB4510PBF это вариант с большим током стока и большей входной ёмкостью; корпус TO-220 крепится на радиатор.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- HEXFET
- Корпус
- TO-220AB
- Входная ёмкость, пФ
- 6160
- Импульсный ток стока, А
- 300
- Ток стока непрерывный, А
- 75
- Сопротивление канала, мОм
- 14
- Напряжение сток-исток макс., В
- 100
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Тепловое сопротивление кристалл-корпус, °C/Вт
- 0,74
- Вес
- 1,815 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRFB4710PBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.