IRF60DM206, корпус DirectFET ME (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF60DM206 International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF60DM206
Производитель
International Rectifier
Корпус
DirectFET ME
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF60DM206

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF60DM206 — N-канальный MOSFET серии StrongIRFET производства International Rectifier на 60 В и 130 А в корпусе DirectFET ME для поверхностного монтажа. Сопротивление открытого канала: типовое 2,2 мОм, максимальное 2,9 мОм; мощность рассеяния 96 Вт.

Улучшены стойкость затвора, лавинная и динамическая стойкость к dv/dt, полностью нормированы ёмкости и область безопасной работы в лавинном режиме.

Характеристики

Тип
MOSFET N-канал
Корпус
DirectFET ME
Ток стока, А
130
Мощность рассеяния, Вт
96
Напряжение сток-исток, В
60
Сопротивление открытого канала макс., мОм
2,9
Вес
2,360 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF60DM206 International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.