MOSFET-транзистор IRF640N International Rectifier
- Партномер (MPN)
- IRF640N
- Производитель
- International Rectifier
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRF640N
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
N-канальный HEXFET MOSFET IRF640N производства International Rectifier в корпусе TO-220AB. Максимальное напряжение сток-исток 200 В, непрерывный ток стока 18 А (импульсный 72 А), сопротивление открытого канала 0,15 Ом.
- рассеиваемая мощность 150 Вт;
- заряд затвора 44,7 нКл;
- максимальное напряжение затвор-исток 20 В, пороговое не выше 4 В.
Характеристики
- Корпус
- TO-220AB
- Тип канала
- N
- Заряд затвора, нКл
- 44,7
- Ток стока импульсный, А
- 72
- Ток стока непрерывный, А
- 18
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 150
- Сопротивление канала Rds(on), Ом
- 0,15
- Напряжение сток-исток макс., В
- 200
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Пороговое напряжение затвора макс., В
- 4
- Вес
- 0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF640N International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.