IRF7342, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7342 International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF7342
Производитель
International Rectifier
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7342

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7342 от International Rectifier — сдвоенный P-канальный HEXFET MOSFET пятого поколения на −55 В в корпусе SO-8. Постоянный ток стока 3,4 А, сопротивление открытого канала 105 мОм, входная ёмкость 690 пФ.

Мощность рассеивания 2 Вт, максимальное напряжение затвор-исток ±20 В, диапазон температур −55…+150 °C. Корпус SO-8 выполнен с изменённой выводной рамкой, что улучшает теплоотвод.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Ток стока, А
3,4
Конфигурация
два P-канала
Входная ёмкость, пФ
690
Рабочая температура
−55…+150 °C
Напряжение сток-исток, В
−55
Рассеиваемая мощность, Вт
2
Сопротивление канала, мОм
105
Напряжение затвор-исток макс., В
±20
Вес
0,380 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7342 International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.