IRF7343PBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7343PBF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF7343PBF
Производитель
International Rectifier
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7343PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7343PBF — сборка из N- и P-канального MOSFET серии HEXFET International Rectifier в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток 55 В у обоих транзисторов; N-канал: ток 4,7 А, сопротивление 50 мОм, P-канал: ток 3,4 А, сопротивление 105 мОм (при 10 В).

Импульсный ток 38 А (N) и 27 А (P), рассеиваемая мощность 2 Вт, диапазон температур перехода −55…+150 °C, исполнение без свинца.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Конфигурация
N + P канал
Ток стока N / P, А
4,7 / 3,4
Импульсный ток N / P, А
38 / 27
Напряжение сток-исток, В
55
Температура перехода, °C
−55…+150
Рассеиваемая мощность, Вт
2
Сопротивление канала N / P, мОм
50 / 105 (при 10 В)
Вес
0,236 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7343PBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.