IRF7416PBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7416PBF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF7416PBF
Производитель
International Rectifier
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7416PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7416PBF — P-канальный силовой MOSFET HEXFET пятого поколения от International Rectifier в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток −30 В, сопротивление открытого канала 20 мОм, импульсный ток стока до 45 А.

Обладает динамическим dV/dt и быстрым переключением. Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В, типовой порог −1 В, мощность рассеивания 2,5 Вт, температура −55…+150 °C.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Полярность
P-канал
Рабочая температура
−55…+150 °C
Импульсный ток стока, А
45
Напряжение сток-исток, В
−30
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Сопротивление канала, мОм
20
Напряжение затвор-исток макс., В
±20
Вес
0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7416PBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.