IRF7470PBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7470PBF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF7470PBF
Производитель
International Rectifier
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7470PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7470PBF — N-канальный MOSFET HEXFET от International Rectifier в корпусе SO-8 на напряжение 40 В с током стока 10 А. Входная ёмкость 3430 пФ, мощность рассеивания 2,5 Вт, температура −55…+150 °C.

Структура с планарными ячейками обеспечивает широкую область безопасной работы; кремний оптимизирован для коммутации на частотах ниже 100 кГц. Прибор квалифицирован по JEDEC и допускает пайку волной.

Характеристики

Корпус
SO-8
Полярность
N-канал
Ток стока, А
10
Входная ёмкость, пФ
3430
Рабочая температура
−55…+150 °C
Напряжение сток-исток, В
40
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Вес
0,476 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7470PBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.