IRF7809AVTRPBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7809AVTRPBF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF7809AVTRPBF
Производитель
International Rectifier
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7809AVTRPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7809AVTRPBF — N-канальный HEXFET от International Rectifier в корпусе SOIC-8. Напряжение между стоком и истоком — 30 В, номинальный ток при 25 °C — 13,3 А.

При 4,5 В на затворе сопротивление канала равно 9 мОм. Затвор допускает 12 В, его заряд — 62 нКл, входная ёмкость — 3780 пФ, а корпус рассеивает 2,5 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
62
Входная ёмкость, пФ
3780
Ток стока при 25 °C, А
13,3
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Напряжение сток-исток макс., В
30
Сопротивление канала Rds(on), мОм
9 (при 4,5 В)
Напряжение затвор-исток макс., В
12
Вес
0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7809AVTRPBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.