IRF7842PBF, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRF7842PBF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRF7842PBF
Производитель
International Rectifier
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRF7842PBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRF7842PBF — N-канальный HEXFET-транзистор International Rectifier в корпусе SOIC-8 с напряжением сток-исток 40 В. Номинальный ток стока при 25 °C — 18 А, импульсный — 140 А.

Сопротивление открытого канала — 5–5,9 мОм при напряжении на затворе 4,5–10 В, типовое пороговое напряжение затвора — 2,25 В. Заряд затвора — 50 нКл, входная ёмкость — 4500 пФ, рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
50
Входная ёмкость, пФ
4500
Ток стока при 25 °C, А
18
Импульсный ток стока, А
140
Рассеиваемая мощность, Вт
2,5
Напряжение затвора для Rds(on), В
4,5–10
Напряжение сток-исток макс., В
40
Сопротивление канала Rds(on), мОм
5–5,9
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Пороговое напряжение затвора (тип.), В
2,25
Вес
0,635 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRF7842PBF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.