IRL2203NPBF, корпус TO-220 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRL2203NPBF Infineon

Партномер (MPN)
IRL2203NPBF
Производитель
Infineon
Корпус
TO-220
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRL2203NPBF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRL2203NPBF — N-канальный HEXFET MOSFET Infineon в корпусе TO-220AB на 30 В. Сопротивление открытого канала 7 мОм при 10 В на затворе, пороговое напряжение 1–2,5 В.

Заряд затвора 60 нКл, входная ёмкость 3290 пФ, максимальное напряжение затвора ±16 В, импульсный ток стока 400 А. Тепловое сопротивление кристалл-корпус — 1,2 °C/Вт.

Характеристики

Корпус
TO-220AB
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
60
Ёмкость затвора, пФ
3290
Импульсный ток стока, А
400
Пороговое напряжение, В
1…2,5
Сопротивление канала, мОм
7 (при 10 В)
Напряжение затвора макс., В
16
Напряжение сток-исток макс., В
30
Тепловое сопротивление кристалл-корпус, °C/Вт
1,2
Вес
0,434 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRL2203NPBF Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.