MOSFET-транзистор IRL530N Infineon
- Партномер (MPN)
- IRL530N
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRL530N
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRL530N — N-канальный MOSFET-транзистор семейства HEXFET (Infineon) с логическим уровнем управления в корпусе TO-220AB. Напряжение сток-исток — 100 В, импульсный ток стока — 60 А.
Сопротивление открытого канала — от 100 до 150 мОм в зависимости от напряжения затвора (4,5–10 В), заряд затвора — 22,7 нКл, максимальное напряжение затвора — 16 В. Шаг выводов — 2,54 мм.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Корпус
- TO-220AB
- Заряд затвора, нКл
- 22,7
- Импульсный ток стока, А
- 60
- Напряжение затвора макс., В
- 16
- Напряжение сток-исток макс., В
- 100
- Напряжение управления затвором, В
- 4,5–10
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 100–150
- Вес
- 0,220 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRL530N Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.