IRLR120N, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRLR120N International Rectifier

Партномер (MPN)
IRLR120N
Производитель
International Rectifier
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRLR120N

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRLR120N выпускает International Rectifier: N-канальный транзистор семейства HEXFET в корпусе TO-252 (D-PAK). Рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и ток стока 11 А при 25 °C.

Сопротивление канала в открытом состоянии — от 185 до 265 мОм в зависимости от напряжения на затворе (4,5–10 В). Затвор заряжается на 13,3 нКл и выдерживает до 16 В; мощность рассеяния 39 Вт.

Характеристики

Серия
HEXFET
Корпус
TO-252
Структура
N-канал
Заряд затвора, нКл
13,3
Ток стока при 25 °C, А
11
Рассеиваемая мощность, Вт
39
Сопротивление канала, мОм
185–265
Напряжение сток-исток макс., В
100
Напряжение затвор-исток макс., В
16
Вес
0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRLR120N International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.