IRLR120NPbF, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IRLR120NPbF International Rectifier

Партномер (MPN)
IRLR120NPbF
Производитель
International Rectifier
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы International Rectifier
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IRLR120NPbF

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IRLR120NPbF — N-канальный MOSFET-транзистор семейства HEXFET (International Rectifier) в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа, бессвинцовое исполнение. Напряжение сток-исток — 100 В, ток стока — 10 А, импульсный ток — 35 А.

Сопротивление открытого канала — от 185 до 265 мОм при управляющем напряжении затвора 4–10 В. Заряд затвора — 20 нКл, входная ёмкость — 440 пФ, максимальное напряжение затвора — 16 В, рассеиваемая мощность — 48 Вт. На корпусе маркировка IRLR120NPBF.

Характеристики

Тип
N-канальный MOSFET
Корпус
TO-252 (DPAK)
Ток стока, А
10
Заряд затвора, нКл
20
Входная ёмкость, пФ
440
Импульсный ток стока, А
35
Рассеиваемая мощность, Вт
48
Напряжение затвора макс., В
16
Напряжение сток-исток макс., В
100
Напряжение управления затвором, В
4–10
Сопротивление открытого канала, мОм
185–265
Вес
0,172 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IRLR120NPbF International Rectifier». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.