IGBT-транзистор IXDN75N120 IXYS
- Партномер (MPN)
- IXDN75N120
- Производитель
- IXYS
- Корпус
- SOT-227B
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IXDN75N120
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IXDN75N120 — одиночный IGBT-транзистор IXYS технологии NPT на напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, корпус SOT-227B с винтовым креплением на шасси. Ток коллектора при 25 °C 150 А, рассеиваемая мощность 660 Вт.
Напряжение насыщения до 2,7 В при токе 75 А и напряжении затвора 15 В, входная ёмкость 5,5 нФ, температура −40…+150 °C.
Характеристики
- Корпус
- SOT-227B
- Технология
- NPT
- Конфигурация
- одиночный
- Входная ёмкость, нФ
- 5,5
- Рабочая температура, °C
- −40…+150
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 150
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 660
- Напряжение насыщения макс., В
- 2,7 (75 А, 15 В)
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 1200
- Вес
- 41,940 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор IXDN75N120 IXYS». Поставка под заказ от 1 шт.