MOSFET-транзистор IXFA10N80P IXYS
- Партномер (MPN)
- IXFA10N80P
- Производитель
- IXYS
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IXFA10N80P
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IXFA10N80P — N-канальный силовой MOSFET IXYS в корпусе TO-263 с максимальным напряжением сток–исток 800 В, режим обогащения. Управляющее напряжение на затворе 10 В, пороговое напряжение 3–5,5 В, температурный диапазон от −55 до +150 °C.
- Ток стока при 25 °C: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Заряд затвора: 40 нКл
- Входная ёмкость: 2050 пФ
Характеристики
- Канал
- N
- Корпус
- TO-263
- Ток стока (25 °C), А
- 10
- Заряд затвора, нКл
- 40
- Ёмкость затвора, пФ
- 2050
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Напряжение сток–исток, В
- 800
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 300
- Вес
- 4,110 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IXFA10N80P IXYS». Поставка под заказ от 1 шт.