Микросхема памяти SDRAM K4S561632N-LI75 Samsung Electro-Mechanics
- Партномер (MPN)
- K4S561632N-LI75
- Производитель
- Samsung Electro-Mechanics
- Корпус
- TSOP-54
- Тип
- Микросхема памяти SDRAM
- Категория
- DRAM
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры K4S561632N-LI75
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
K4S561632N-LI75 — микросхема синхронной динамической памяти SDRAM объёмом 256 Мбит (организация 4M × 16 × 4 банка) бренда Samsung Electro-Mechanics. Корпус TSOP-54, 16-разрядная шина данных, параллельный интерфейс, питание 3,0–3,6 В с совместимостью LVTTL.
Время доступа — 5,4 нс. Четыре банка работают независимо, задержка CAS программируется (2 и 3), длина пакета — 1, 2, 4, 8 или целая страница, режимы пакета последовательный и чередующийся.
Характеристики
- Объём
- 256 Мбит
- Корпус
- TSOP-54
- Интерфейс
- параллельный
- Тип памяти
- SDRAM
- Задержка CAS
- 2 и 3 (программируется)
- Организация
- 4M × 16 × 4 банка
- Длина пакета
- 1, 2, 4, 8, целая страница
- Время доступа
- 5,4 нс
- Напряжение питания
- 3,0–3,6 В
- Вес
- 3,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема памяти SDRAM K4S561632N-LI75 Samsung Electro-Mechanics». Поставка под заказ от 1 шт.