+7 985 032-33-06
+7 985 032-33-06

DRAM

103 позиций · цены за штуку с НДС · поставка под заказ
ПартномерПроизводительКорпусЦена за шт., с НДССрокКол-во
AS4C128M16D2-25BINМикросхема памяти DRAM Alliance MemoryTFBGA-84 по запросу 4–7 недель
AS4C16M32MSA-6BINМикросхема памяти DRAM Alliance Memory– по запросу 4–7 недель
AS4C32M16D2A-25BINМикросхема памяти DRAM Alliance MemoryTFBGA-84 по запросу 4–7 недель
AS4C32M16SB-7TINМикросхема памяти DRAM Alliance MemoryTSOP-54 по запросу 4–7 недель
AS4C32M16SC-7TINМикросхема памяти DRAM Alliance MemoryTSOP-54 по запросу 4–7 недель
AS4C4M32S-6BINМикросхема памяти DRAM Alliance MemoryTFBGA-90 по запросу 4–7 недель
AS4C64M16D1A-6BINМикросхема памяти DRAM Alliance MemoryTFBGA84 по запросу 4–7 недель
AS4C64M8D2-25BINМикросхема памяти DRAM Alliance MemoryBGA-60 по запросу 4–7 недель
H5TQ2G63DFR-PBCМикросхема памяти DRAM SK HYNIXSMD по запросу 4–7 недель
H5TQ4G83MFR-H9CМикросхема памяти DRAM SK HYNIXBGA по запросу 4–7 недель
IS43R32800D-5BLIМикросхема памяти DRAM ISSIBGA-144 по запросу 4–7 недель
IS43TR16256A-15HBLМикросхема памяти DRAM ISSIBGA-96 по запросу 4–7 недель
IS43TR16256B-107MBLМикросхема памяти DRAM ISSIBGA-96 по запросу 4–7 недель
IS43TR16256B-125KBLIМикросхема памяти DRAM Integrated Silicon Solution– по запросу 4–7 недель
IS43TR16512A-125KBLIМикросхема памяти DRAM ISSIBGA-96 по запросу 4–7 недель
IS43TR16640A-125JBLIМикросхема памяти DRAM ISSIBGA-96 по запросу 4–7 недель
IS43TR16640B-15GBLIМикросхема памяти DRAM Integrated SiliconSMD по запросу 4–7 недель
K4B1G1646G-BCH9Микросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsBGA по запросу 4–7 недель
K4B2G1646Q-BYK0Микросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsBGA по запросу 4–7 недель
K4B4G0846E-BCMAМикросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsBGA по запросу 4–7 недель
K4B4G0846Q-HCMAМикросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsBGA по запросу 4–7 недель
K4B4G1646E-BCK0Микросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsBGA по запросу 4–7 недель
K4S281632F-TCМикросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsTSOP-54 по запросу 4–7 недель
K4S561632C-TC/L75Микросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsTSOP-54 по запросу 4–7 недель
K4S561632C-TC75Микросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsSMD по запросу 4–7 недель
K4S561632J-UI/P75Микросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsTSOP-54 по запросу 4–7 недель
K4S561632N-LI75Микросхема памяти SDRAM Samsung Electro-MechanicsTSOP-54 по запросу 4–7 недель
K4T1G164QQ-HCE6000Микросхема памяти DRAM Samsung Electro-MechanicsBGA по запросу 4–7 недель
MT41J128M16JT-125:KМикросхема памяти DRAM MicronBGTA по запросу 4–7 недель
MT41J128M8JP-15EITМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41J256M16HA-125:EМикросхема памяти DRAM MicronFBGA-96 по запросу 4–7 недель
MT41J256M16HA-125ITМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41J256M8HX-15EМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41K128M16JT-125 IT: K TRМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K128M16JT-125 XIT:KМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41K128M16JT-125:KМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K1G8SN-125 IT:AМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41K1G8SN-125:AМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41K256M16HA-125:EМикросхема памяти DRAM MicronBGA-485 по запросу 4–7 недель
MT41K256M16HA-125ITМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K256M16HA-125IT:EМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K256M16TW-107 AAT:P TRМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K256M16TW-107 AIT:PМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K256M16TW-107:PМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K256M16TW-107ITМикросхема памяти DRAM MicronSMD по запросу 4–7 недель
MT41K256M16TW-107IT:PМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41K256M16TW-107XIT:PМикросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель
MT41K256M16TW-125Микросхема памяти DRAM MicronBGA по запросу 4–7 недель

DRAM – динамическая оперативная память для высокопроизводительных встраиваемых систем

DRAM (Dynamic Random Access Memory) является основным типом оперативной памяти для процессоров, SoC и высокопроизводительных микроконтроллеров. В отличие от SRAM, каждая ячейка DRAM содержит лишь один транзистор и конденсатор, что обеспечивает на порядок более высокую плотность хранения при значительно меньшей себестоимости. Обязательная периодическая регенерация содержимого ячеек требует наличия контроллера памяти (встроенного в процессор или внешнего). Современные стандарты DRAM – SDRAM, DDR3, DDR4, DDR5, LPDDR4, LPDDR5 – обеспечивают пропускную способность от нескольких сотен мегабайт до десятков гигабайт в секунду. Chip-com.ru поставляет DRAM-компоненты от ведущих мировых производителей: Micron, Samsung, SK Hynix, ISSI, Alliance Memory – для промышленного производства плат и встраиваемых систем.

Каталог DRAM: стандарты и типы

В нашем каталоге представлены все актуальные типы DRAM-памяти для встраиваемых применений:

  • SDRAM (SDR) – классическая однопроводная синхронная DRAM, до 133 МГц, для устаревших промышленных систем и замен
  • DDR3/DDR3L – наиболее распространённый тип для промышленных плат, 800–2133 МГц, 1,35/1,5 В, широкий выбор ёмкостей
  • DDR4 – современный стандарт, 1866–3200 МГц, 1,2 В, для новых разработок на базе MPU/SoC
  • LPDDR3/LPDDR4/LPDDR4X – мобильная DRAM с пониженным напряжением (0,6–1,1 В) для носимых и IoT-устройств
  • HyperRAM (Infineon, Winbond) – DRAM с интерфейсом HyperBus, совместимость с NOR Flash-пинаут, для FPGA и SoC без внешнего контроллера
  • PSRAM (Espressif, ISSI) – псевдо-SRAM на базе DRAM-ячеек, SPI/Quad-SPI интерфейс, для расширения памяти ESP32

Производители DRAM: Micron, Samsung, SK Hynix, ISSI

Micron Technology (США) – один из трёх крупнейших производителей DRAM в мире, серии MT41K (DDR3), MT40A (DDR4), MT52R (LPDDR4) широко применяются в промышленных компьютерах и автомобильной электронике. Samsung Semiconductor (Южная Корея) удерживает крупнейшую долю рынка DRAM, предлагая K4A (DDR4), K3K (LPDDR4X) и серверные DDR5 модули. SK Hynix (Южная Корея) – второй по величине производитель DRAM, серии H5A (DDR4) и H54G (LPDDR4) используются в широком спектре применений. ISSI предлагает SDRAM и DDR3 промышленного класса с расширенным диапазоном температур. Alliance Memory специализируется на поставке DDR3L, SDRAM и LPDDR3 как совместимых аналогов для промышленных применений. Winbond и Infineon производят HyperRAM для FPGA-систем. Chip-com.ru поставляет DRAM всех указанных производителей с сертификатами качества.

Применение DRAM в промышленных и встраиваемых системах

DRAM является основным типом оперативной памяти для систем, работающих под управлением операционных систем (Linux, Android, RTOS с большим объёмом памяти) или обрабатывающих большие массивы данных. В промышленных компьютерах (IPC, HMI, edge-компьютеры) DDR3L и DDR4 устанавливаются непосредственно на материнской плате в виде BGA-чипов или SO-DIMM модулей. В автомобильной электронике LPDDR4 используется в бортовых информационно-развлекательных системах, блоках ADAS и панелях приборов. В телекоммуникационном оборудовании DDR3/DDR4 обеспечивает быстрый доступ к таблицам маршрутизации и буферам пакетов. В IoT-шлюзах и одноплатных компьютерах на базе NXP i.MX, Allwinner, Rockchip LPDDR3/LPDDR4 обеспечивает работу полноценного Linux-дистрибутива. HyperRAM находит применение в FPGA-системах для обработки видео и графики, где требуется быстрая внешняя RAM с минимальным количеством выводов. PSRAM используется для расширения памяти ESP32 в сложных IoT-приложениях с буферизацией аудио и видео.

Оптовые поставки DRAM на chip-com.ru

Chip-com.ru поставляет DRAM-чипы для производства плат, ремонта оборудования и прототипирования. Поставляем под заказ наиболее востребованные DDR3L (Micron, SK Hynix), DDR4 (Samsung, Micron) и HyperRAM (Winbond W956D8). Минимальный заказ – от 1 штуки, оптовые цены от 10 штук, для серийных партий от 100 штук – контрактные условия. Для монтажа BGA-чипов предоставляем данные разварки (ball map), рекомендации по пайке и профили реплоу. Поставляем DRAM как в россыпи, так и в заводских кассетах. Для промышленных применений доступны версии с расширенным диапазоном температур (Industrial grade). Все компоненты проходят входной контроль подлинности. Технические специалисты готовы проконсультировать по выбору DRAM под конкретный процессор или SoC. Доставка по всей России.

DRAM: поставка по всей России

В разделе «DRAM» – электронные компоненты под заказ от 1 шт. для производства, ремонта и разработки. Цену, наличие и срок поставки по каждой позиции подтверждаем до оплаты, коммерческое предложение готовим в течение 24 часов. Работаем с юридическими лицами: договор, НДС 22% отдельной строкой, УПД, электронный документооборот (ЭДО). Доставка по всей России – СДЭК, ПЭК, Деловые Линии, Почта России – в антистатической ESD-упаковке. Подбираем аналоги дефицитных и снятых с производства позиций по ключевым параметрам.

Как заказать «DRAM» на CHIP-COM.ru?

Выберите позицию в разделе «DRAM» или пришлите артикулы списком. Цену, наличие и срок поставки подтверждаем до оплаты, КП готовим в течение 24 часов. Поставка под заказ от 1 шт.

Можно ли подобрать аналог в категории «DRAM»?

Да, подбираем аналоги по ключевым параметрам для дефицитных и снятых с производства позиций. Опишите задачу или пришлите исходный артикул – предложим замену.

Работаете ли с юрлицами и даёте документы с НДС?

Да: договор, НДС 22% отдельной строкой, УПД, ЭДО. Доставка по всей России (СДЭК, ПЭК, Деловые Линии, Почта России) в антистатической упаковке.

Запросить КП по BOM-листу · Подобрать аналог · Запросить дефицит