JFET-транзистор MMBF4393LT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- MMBF4393LT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- JFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MMBF4393LT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Полевой транзистор MMBF4393LT1G от onsemi с N-каналом и управляющим p-n переходом (JFET) выпускается в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа.
- Максимальное напряжение: 30 В
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 100 Ом
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
- Тип проводимости канала: N
- Количество элементов: 1
- Монтаж: поверхностный
- Материал: кремний
Характеристики
- Тип
- JFET, N-канал
- Корпус
- SOT-23
- Напряжение, В
- 30
- Сопротивление канала, Ом
- 100
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 350
- Вес
- 0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «JFET-транзистор MMBF4393LT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.
