JFET-транзистор MMBFJ112 onsemi
- Партномер (MPN)
- MMBFJ112
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- JFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MMBFJ112
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
onsemi MMBFJ112 — кремниевый N-канальный полевой транзистор с управляющим p-n переходом, один элемент в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа.
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
- Пробивное напряжение затвор-исток: 35 В
- Сопротивление открытого канала: 50 Ом
- Тип проводимости канала: N
Исток и сток можно менять местами.
Характеристики
- Тип
- JFET, N-канал
- Корпус
- SOT-23
- Материал
- Кремний
- Количество элементов
- 1
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 350
- Вес
- 0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «JFET-транзистор MMBFJ112 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.