JFET-транзистор MMBFJ309LT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- MMBFJ309LT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- JFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MMBFJ309LT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MMBFJ309LT1G — N-канальный полевой транзистор с p-n-переходом (JFET) onsemi в корпусе SOT-23. Рассчитан на усилители ОВЧ и УВЧ, генераторы и смесители. Максимальное напряжение между стоком и истоком 25 В, начальный ток стока при закороченном затворе 12–30 мА, допустимая рассеиваемая мощность 225 мВт.
Характеристики
- Тип
- JFET, N-канал
- Корпус
- SOT-23
- Напряжение сток-исток, В
- 25
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 225
- Ток стока при нулевом Vgs, мА
- 12–30
- Вес
- 1,143 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «JFET-транзистор MMBFJ309LT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.