Полевой транзистор JFET MMBFJ177LT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- MMBFJ177LT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23-3
- Тип
- Полевой транзистор JFET
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MMBFJ177LT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MMBFJ177LT1G — одиночный p-канальный полевой транзистор JFET onsemi серии MMBFJ177L в корпусе SOT-23-3. Напряжение пробоя затвор–исток 30 В, ток стока при нулевом смещении затвора 1,5–20 мА, рассеиваемая мощность 225 мВт.
Применяется как ключ и в цепях с высоким входным сопротивлением.
Характеристики
- Тип
- JFET, p-канальный
- Серия
- MMBFJ177L
- Корпус
- SOT-23-3
- Конфигурация
- Одиночный
- Ток стока при Vgs=0, мА
- 1,5…20
- Напряжение пробоя З–И, В
- 30
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 225
- Вес
- 0,516 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Полевой транзистор JFET MMBFJ177LT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.