Биполярный транзистор MMBT5551LT1 onsemi
- Партномер (MPN)
- MMBT5551LT1
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MMBT5551LT1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MMBT5551LT1 — высоковольтный кремниевый NPN-транзистор производства onsemi, один транзистор в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 160 В
- Максимальный ток коллектора: 60 мА
- Рассеиваемая мощность: 225 мВт
- Граничная рабочая частота: 200 МГц
- Коэффициент усиления по току: от 80 до 250
- Тип проводимости: NPN
- Количество элементов: 1
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- NPN
- Граничная частота, МГц
- 200
- Ток коллектора макс., мА
- 60
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 225
- Коэффициент усиления по току
- 80–250
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 160
- Вес
- 0,014 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор MMBT5551LT1 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.