Биполярный транзистор MMBT5551LT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- MMBT5551LT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MMBT5551LT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MMBT5551LT1G — высоковольтный NPN-транзистор onsemi в корпусе SOT-23. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер достигает 160 В, ток коллектора — 600 мА, мощность рассеяния — 225 мВт.
Коэффициент усиления по току находится в пределах от 80 до 250.
Корпус SOT-23 предназначен для поверхностного монтажа; такой транзистор берут, когда слаботочному ключу нужен запас по напряжению.
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- NPN
- Ток коллектора макс., мА
- 600
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 225
- Коэффициент усиления по току
- 80–250
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 160
- Вес
- 0,016 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор MMBT5551LT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.