MUN5235DW1T1G, корпус SOT-363 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Цифровой транзистор MUN5235DW1T1G onsemi

Партномер (MPN)
MUN5235DW1T1G
Производитель
onsemi
Корпус
SOT-363
Тип
Цифровой транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры MUN5235DW1T1G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

MUN5235DW1T1G — сборка из двух NPN-транзисторов со встроенными резисторами смещения производства onsemi в корпусе SOT-363. Предельное напряжение коллектор-эмиттер — 50 В, ток коллектора — 100 мА, мощность — 250 мВт. Коэффициент усиления по току — от 80 до 140, напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 250 мВ. Кристаллы изготовлены из кремния.

Характеристики

Корпус
SOT-363
Конфигурация
2 NPN, цифровой транзистор
Ток коллектора, мА
100
Рассеиваемая мощность, мВт
250
Коэффициент усиления по току
80…140
Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, мВ
250
Вес
0,030 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Цифровой транзистор MUN5235DW1T1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.