Транзистор NPN/PNP со встроенными резисторами MUN5333DW1T1G onsemi
- Партномер (MPN)
- MUN5333DW1T1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-363
- Тип
- Транзистор NPN/PNP со встроенными резисторами
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MUN5333DW1T1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MUN5333DW1T1G от onsemi — сдвоенный транзистор со встроенными резисторами смещения: в одном корпусе SOT-363 размещены NPN и PNP структуры, у каждой резисторы R1 и R2 по 4,7 кОм. Максимальное напряжение коллектор–эмиттер — 50 В, ток коллектора — до 100 мА, рассеиваемая мощность — 250 мВт, коэффициент усиления по току не менее 80.
Встроенные резисторы заменяют отдельные компоненты и экономят место на плате.
Характеристики
- Тип
- Транзисторы со встроенными резисторами (BRT)
- Корпус
- SOT-363
- Структура
- NPN + PNP
- Ток коллектора, мА
- 100
- Сопротивления R1, R2, кОм
- 4,7 / 4,7
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 250
- Коэффициент усиления по току мин.
- 80
- Напряжение коллектор–эмиттер макс., В
- 50
- Вес
- 0,048 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Транзистор NPN/PNP со встроенными резисторами MUN5333DW1T1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.