Биполярный транзистор (Дарлингтон NPN) NJD35N04G onsemi
- Партномер (MPN)
- NJD35N04G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-252
- Тип
- Биполярный транзистор (Дарлингтон NPN)
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры NJD35N04G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
NJD35N04G — кремниевый мощный биполярный n-p-n транзистор Дарлингтона onsemi в корпусе TO-252. Максимальное напряжение коллектор–эмиттер — 350 В, ток коллектора — 4 А, рассеиваемая мощность — 45 Вт.
- Минимальный коэффициент усиления по току — 2000; структура составная, кремниевая
- Граничная частота — 90 МГц
- Тип проводимости и конфигурация — NPN Darlington, кремний, пластиковый корпус
Характеристики
- Корпус
- TO-252
- Структура
- NPN, Дарлингтон
- Ток коллектора, А
- 4
- Граничная частота, МГц
- 90
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 45
- Коэффициент усиления h21E, мин.
- 2000
- Напряжение коллектор–эмиттер, В
- 350
- Вес
- 0,630 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор (Дарлингтон NPN) NJD35N04G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.