Биполярный транзистор PNP NJT4030PT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- NJT4030PT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-223
- Тип
- Биполярный транзистор PNP
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры NJT4030PT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
NJT4030PT1G — мощный биполярный p-n-p транзистор onsemi в корпусе SOT-223 (TO-261). Максимальное напряжение коллектор–эмиттер — 40 В, ток коллектора — 3 А, рассеиваемая мощность — 2 Вт.
- Коэффициент усиления по току — от 200 до 400
- Граничная частота — 160 МГц
- Четыре вывода по корпусу SOT-223-4, поверхностный монтаж
Характеристики
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- PNP
- Ток коллектора, А
- 3
- Граничная частота, МГц
- 160
- Коэффициент усиления h21E
- 200…400
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 2
- Напряжение коллектор–эмиттер, В
- 40
- Вес
- 0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор PNP NJT4030PT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.